特許

J-GLOBAL ID：200903093517429140

薄膜トランジスタ

発明者： 津幡 俊英 ,  篠田 雄司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-313816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172195
出願日： 1994年12月16日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【構成】 電気絶縁性基板32上に、ゲート電極33と、ゲート絶縁膜34と、半導体層35と、オーミックコンタクト層36,37と、ソース電極38およびドレイン電極39とを、この順で積層形成して構成され、アクティブマトリクス型の液晶表示装置におけるスイッチング素子などで実施される薄膜トランジスタ31において、オーミックコンタクト層36,37を半導体層35側のn+型アモルファスシリコン層41,42と、ソース電極38およびドレイン電極39側のn+型微結晶シリコン層43,44との2層構造とする。【効果】 成膜温度が低く、したがって樹脂基板に形成することができ、かつ高い電子移動度を有して高品質な表示装置を実現することができる微結晶シリコン層を、その利点を損なうことのない程度の膜厚で用い、残余の部分をアモルファスシリコン層で形成することによって、加工工程の長時間化を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

相互に積層して形成され、帯状のゲート電極と、前記ゲート電極の一表面を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体層と、半導体層上に部分的に形成される複数の導電性のコンタクト層と、前記コンタクト層の一方に接続されるソース電極および前記コンタクト層の他方に接続されるドレイン電極とを備え、電気絶縁性基板上に配置される薄膜トランジスタにおいて、前記各コンタクト層は2層に構成され、前記半導体層側の層はn型半導体層から成り、前記ソース電極およびドレイン電極側の層はn型微結晶シリコン層から成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。