特許
J-GLOBAL ID：200903093519551636
反射防止層及びリソグラフィにより層を構造化するための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-507678
公開番号（公開出願番号）：特表平8-501190
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】半導体基板(1)上に層(2)をリソグラフィにより構造化する際、aSi又はaSi/aSiNからなる層を反射防止層(3)として使用することを提案する。その際反射の抑制はaSi層内の吸収並びにaSiN層内の干渉に基づく。バックグラウンドの光学的アンカップリングが達成され、その結果この反射防止層は広汎に使用することができる。
請求項（抜粋）：
フォトレジストマスク(4)の形成前に反射防止層としてaSi層又はaSi/aSiN層(3)を施し、aSi層の層厚dをd≦-1n(I/I0)/α(λ)(α(λ)は露光波長λでのaSi層の吸収係数、(1-I/I0)は反射防止層内での所定の吸収を表す)の条件をほぼ満足する、半導体基板(1)上にフォトレジストマスク(4)及びエッチングプロセスの使用下に層(2)を構造化するための方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/11 503
