特許
J-GLOBAL ID：200903093522531123
薄膜パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083966
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273280
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 エッチングが困難な材料からなる高精度で微細なパターンを形成する方法を供する。【構成】 基体1の主表面にエッチングが容易なAlからなる下層膜パターン(Al膜パターン)21を形成し、この上にエッチングが困難な材料のPt膜4を形成して、下層膜パターン21をエッチング除去すると、下層膜パターン21の直上部のエッチングが困難な材料からなる薄膜の部分が下層膜パターンと一緒に除去されて、エッチングが困難な材料のPt膜4のパターンが形成される。
請求項（抜粋）：
基板主表面にエッチングの容易な材料で下層膜パターンを形成した後、前記下層膜パターンを含む主表面全面に、エッチングの困難な材料からなる薄膜を前記下層膜よりも薄い膜厚で形成し、前記下層膜専用のエッチング液により、前記下層膜パターンをエッチング除去すると同時に、前記下層膜パターン上の前記エッチングの困難な材料からなる薄膜を選択的に剥離・除去することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 27/01 311
, C23F 1/00 104
, H01F 17/00
, H01F 41/04
, H01L 21/306
