薄膜配線およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-057549
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226337
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 SAWフィルターのような超薄膜領域における配線の比抵抗を下げ、かつLSIのような5000Å以上の膜厚を有する配線にあっては、マイグレーション耐性の高いAl配線およびその製造方法を提供する。【構成】基板1上にアモルファス状あるいは微細粒組織のAlないしAl合金2を堆積させてこれを下地層2とし、その上にAlないしAl合金薄膜3を堆積させて二層膜を作製する。【効果】基板上に直接AlあるいはAl合金を堆積した場合よりもAlないしAl合金配線の配向性が著しく高まり、比抵抗が低くマイグレーション耐性の高いAlあるいはAl合金薄膜配線を得る。

請求項（抜粋）：

下地層と薄膜とを有する薄膜配線であって、下地層は、アモルファス状あるいは微細粒組織のアルミニウム(Al)ないしAl合金薄膜であり、薄膜は、該下地層上に形成された(111)配向のAlないしAl合金薄膜であることを特徴とする薄膜配線。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H03H 3/08 , H03H 9/145

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-183538
特開昭63-226703
特開平2-306304

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