特許

J-GLOBAL ID：200903093528431422

熱電気の活性材料およびこれを含んだ熱変換器

発明者： ハンス-ヨーゼフ、シュテルツェル
出願人/特許権者： ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 江藤 聡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350498
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223392
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高いZ値をもち、温度安定性のすぐれた熱電気的材料を提供する。【解決手段】p-ドープまたはn-ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組:ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の1組から選択され、物質の組の少なくとも2種の化合物を結合することで形成される、少なくとも1種の三元材料であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p-ドープまたはn-ドープされた半導体材料を含む熱変換器であって、前記半導体材料が、以下の物質の組の1組から選択され、および物質の組の少なくとも2種の化合物を結合することによって形成される、少なくとも1種の三元材料であることを特徴とする熱変換器:(1)ケイ化合物U3Si5、BaSi2、CeSi2、GdSi、NdSi2、CoSi、CoSi2、CrSi2、FeSi2、MnSi、MoSi2、WSi2、VSi、TiSi2、ZrSi2、VSi2、NbSi2およびTaSi2(2)ホウ素化合物UB2、UB4、UB12、CeB6、AlB12、CoB、CrB2、CrB4、FeB、MnB、MnB2、MnB12、MoB、MoB4、SiB4、SiB6、SiB12、TiB2、VB2、YB4、ZrB2、CuB24、NiB12、BaB6、MgB2、MgB4およびMgB12、但し、アルミニウム含有ホウ素化合物がホウ素原子に対し1個の炭素原子を追加で含んでいてもよい。(3)ゲルマニウム化物U5Ge3、BaGe、GdGe、Dy5Ge3、Fr5Ge3およびCe3Ge5(4)テルル化物、硫黄化物、セレン化物LaS、NdS、Pr2S3、DyS、USe、BaSe、GdSe、LaSe、Nd3Se4、Nd2Se3、PrSe、FrSe、UTe、GdTe、LaTe、NdTe、PrTe、SmTe、DyTeおよびErTe(5)アンチモン化物USb、CeSb、GdSb、LaSb、NdSb、PrSbおよびDySb、AlSb、CeSb、CrSb、FeSb、Mg3Sb2、NI5Sb2およびCeSb3およびNiSb3(6)鉛化物CePb、Gd5Pb3、La5Pb3およびDy5Pb4(但し(1)から(6)までの物質の組において、下記の原子がまだ組み合わせの中に存在していない場合において、元素の10原子%までがNa、K、Rb、Cs、Zn、Cd、Al、Ga、Zr、Mg、S、Cu、Ag、Au、Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、またはこれらの混合物によって置換されていてもよい。)(7)半導体酸化物UO2、Bi2O3、CuO、Cu2O、SnO、PbO、ZnO,In2O3、WO3、V2O5、Sb2O3、CoO、NiO、Ce2O4、FeO、Fe2O3、NbO2、CeO2およびBaO(但し、酸化物の10モル%までは、Na2O、K2O、CdO、SrO、Al2O3、Ga2O3、Cr2O3またはこれらの混合物に置換されていてもよい。)

IPC (6件)：

H01L 35/16 ,  C04B 35/495 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34

FI (6件)：

H01L 35/16 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/34 ,  C04B 35/00 J