特許

J-GLOBAL ID：200903093537293091

半導体レーザー温度制御回路

発明者： 古 山 浩 志 ,  石 川 敦 義
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  株式会社石研
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313102
公開番号（公開出願番号）：特開平7-170005
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザーの温度回路においてペルチェ素子の消費電力に関わらず常に高電源効率であり、同時に低出力リップル特性を実現する。【構成】 レーザーモジュール21内のサーミスタ22の出力を誤差増幅器4とそれに続くコンパレータ11に接続し、レーザーモジュール21の温度と設定温度の温度誤差を検出して、その出力によりDC/DCコンバータ20の出力電圧を制御し、ペルチェ素子23を駆動して高電源効率の温度制御を行なう。またg点の出力電圧を2分岐して、一方は反転増幅器5を介し、他方は固定抵抗14と並列に接続されたコンデンサ13を介してコンパレータ11に入力し、直流成分は打ち消して微小変化成分のみを検知して、その出力でDC/DCコンバータ20を制御し、リップルを制御する。さらに(g点とh点)の電位差をコンパレータ11により検出して、ペルチェ素子23での消費電力の変動を制御する。

請求項（抜粋）：

スイッチング回路と整流回路とからなるDC/DCコンバータ部と、サーミスタおよび誤差増幅器を有する温度誤差検出部とを備え、半導体レーザーの温度制御に使用するペルチェ素子を前記DC/DCコンバータの出力で直接駆動し、温度誤差成分で前記DC/DCコンバータの出力電圧を制御する半導体レーザー温度制御回路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-131591
  
• 特開平3-240110
  
• 特開平1-214072