特許

J-GLOBAL ID：200903093541074639

シリコンカーバイド基板上に二酸化シリコンを生成する高密度プラズマプロセス

発明者： プーラン チャンドラ ジョシ ,  アポストロス ティー. ヴォウトサス ,  ジョン ダブリュー. ハーツェル
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096420
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286339
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 シリコンカーバイド(SiC)基板上にSiO2を形成する方法を提供すること。【解決手段】 方法は、SiCを提供するステップ、酸素を含む雰囲気を供給するステップ、高密度(HD)プラズマプロセスを実行するステップ、およびSiC基板をオーバーレイするSiO2層を形成するステップを包含する。通常、HDプラズマプロセスを実行するステップは、上部電極を誘導結合HDプラズマソースへ接続するステップを含む。 第1の局面において、SiO2は、SiC基板上に成長する。つまり、HDプラズマ酸化プロセスは実行され、反応酸素種を生成し、SiC基板のSi-C結合をはずし、SiC基板に遊離原子SiおよびCを形成する。SiC基板の遊離原子Siは、HDプラズマ生成酸化種へ結合され、SiO2層が成長する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド(SiC)基板上に二酸化シリコン(SiO2)を形成する方法であって、 SiC基板を提供することと、 酸素を含む雰囲気を供給することと、 高密度(HD)プラズマプロセスを実行することと、 該SiC基板をオーバーレイするSiO2層を形成することと を含む、方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

FI (3件)：

H01L21/316 A ,  H01L21/316 X ,  H01L29/48 D

Fターム (11件)：

4M104AA03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD23 ,  4M104GG03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01