特許
J-GLOBAL ID：200903093542426547
分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244493
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 回折格子と発光層との界面での非発光再結合を減少させるとともに、光ファイバとの結合効率が劣化するのを防止するための構造及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 レーザ発振を得る活性層1を、作り込まれた回折格子3により周期的に発光層が切断された回折格子導波路領域1aと、この回折格子導波路領域1aの上側及び下側に、それぞれ発光層を含む活性領域1bを設けた多層構造としたことを特徴としており、特に、上記回折格子導波路領域1a及び各活性領域1bは、発光層となる井戸層6を1層以上積層した量子井戸構造か、あるいは複数のダブルヘテロ接合部より構成した1層以上の発光層を有する積層構造であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
周期的な屈折率変動あるいは利得変動を有する回折格子が作り込まれ、発光層となる活性層を備えた分布帰還型半導体レーザにおいて、前記活性層は、前記回折格子が作り込まれ、該回折格子により周期的に発光層が切断された回折格子導波路領域と、該回折格子導波路領域の上側及び下側に、それぞれ発光層を含む活性領域を設けた多層構造であることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
引用特許：
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