特許

J-GLOBAL ID：200903093542826545

半導体発光装置

発明者： 高橋 孝志
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123990
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307880
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 発光効率を向上させることの可能なAlGaInNP系の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板101上に、n型GaAsバッファ層102,n型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層103,ノンドープ(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P下部光導波層104,ノンドープGa0.5In0.5P中間層105a,ノンドープGa0.6In0.4N0.01P0.99発光層106,ノンドープGa0.5In0.5P中間層105b,ノンドープ(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P上部光導波層107,p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層108,p型Ga0.5In0.5Pスパイク防止層109,p型GaAsコンタクト層110が順に積層されている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、GaxIn1-xNyP1-y混晶半導体からなる発光層と、(AlzGa1-z)wIn1-wPクラッド層または光導波層または障壁層と、発光層とクラッド層または光導波層または障壁層との間に積層された、AlとNを含まないIII-V族半導体からなる中間層とを有する半導体発光装置であって、前記中間層は、GaAs基板と格子整合し、前記発光層はGaAs基板に対して圧縮歪を有していることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B