特許

J-GLOBAL ID：200903093542891649

熱酸化処理方法及び熱酸化処理装置

発明者： 木村 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297181
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 インナーチューブと、アウターチューブを有する熱酸化処理装置を用いる場合についても、結露の問題をなくし、水分を含む処理ガスを使用した熱酸化処理時をも可能とする。【構成】 被処理半導体基板2を酸化処理する処理室を構成するインナーチューブ4と、該処理室を加熱する加熱機構1を備え、更に外枠たるアウターチューブ6を有する熱酸化処理装置について、b.p.100°C以上の液体や100〜300°Cで安定な気体等の温度制御媒体8によりアウターチューブの温度を制御することによって、加熱防止とインナーチューブの結露防止を行う。

請求項（抜粋）：

被処理半導体基板を熱酸化処理する処理室を構成するインナーチューブと、該処理室を加熱する加熱機構を備え、更に外枠を構成するアウターチューブを有する熱酸化処理装置を用いる熱酸化処理方法であって、温度制御媒体により前記アウターチューブの温度を制御することによって、過熱防止とインナーチューブの結露防止を行う構成としたことを特徴とする半導体基板の熱酸化処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 E