特許
J-GLOBAL ID：200903093542996700
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265983
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111677
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】本発明は、被エッチング体をエッチングする際、加工精度を向上させるため被エッチング体の側壁に保護膜を形成しながらエッチングを行う半導体装置の製造方法に関し、最終的に形成されるパターンのアスペクト比やパターン配置の粗密度によらず保護が必要な部分に均一に緻密で薄い側壁保護膜を形成して、パターンの加工形状の歪みを防ぎ、かつパターンの加工精度を向上させる。【解決手段】被エッチング体23をエッチングするエッチングガスと、エッチング中の被エッチング体の側壁に保護膜25a,25bを形成する炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、混合ガスにパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化し、かつ、デューティ比等を調整して炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスの解離量を調整する工程と、被エッチング体23をプラズマに曝して被エッチング体23をエッチングする工程とを有する。
請求項（抜粋）：
被エッチング体をエッチングするエッチングガスと、エッチング中の前記被エッチング体の側壁に保護膜を形成する炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスとを混合する工程と、前記混合ガスにパルス状の電力を繰り返し印加してプラズマ化し、かつ、前記パルス高さ,パルス幅及びデューティ比のうち少なくともいずれかを調整して前記炭素(C)およびフッ素(F)を含むガスの解離量を調整する工程と、前記被エッチング体を前記プラズマに曝して前記被エッチング体をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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