特許

J-GLOBAL ID：200903093543427253

フラッシュメモリセル及びその製造方法

発明者： 鄭 盛 文 ,  沈 聖 輔 ,  金 貴 旭
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 中川 周吉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366825
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195975
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 耐湿性に優れ、しかも低コストな積層型圧電アクチュエータを提供する。また、形状の制約を受けず、それを所期のものとすることができる積層型圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 圧電体層4と内部電極層5とが交互に積層されてなる積層体1と、前記内部電極層5を用いて電圧を印加した際の前記積層体の変位方向と交わる、前記積層体の上端面および下端面を除いて前記積層体を覆うよう、前記積層体に接した状態で設けられた第1の被膜2と、この第1の被膜の外側に前記積層体の全ての面を覆うよう設けられた第2の被膜3とを具備し、前記第2の被膜における、少なくとも前記積層体の上端面および下端面に対応した部分の厚さが、50μm以下である積層型圧電アクチュエータ。

請求項（抜粋）：

フラッシュメモリセルにおいて、接合領域が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の接合領域の上部にシリンダ形で形成され、前記シリコン基板とはトンネル酸化膜によって電気的に分離されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートの上部に形成され、前記フローティングゲート内に挿入される部分が円柱形で形成され、前記フローティングゲートとは誘電体膜によって電気的に分離されるコントロールゲートとからなることを特徴とするフラッシュメモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434