特許

J-GLOBAL ID：200903093544331985

GaN系結晶成長用基板およびその用途

発明者： 只友 一行 ,  岡川 広明 ,  宮下 啓二 ,  大内 洋一郎
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259081
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092296
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：

【要約】【課題】 厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系結晶基板を得ることができるGaN系結晶成長用基板と、それを用いたGaN系結晶基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 GaN系結晶が成長可能なベース基板1の面にマスク層2を設け、該マスク層の上面に複数の開口部4を設け、該開口部内の底にベース基板面を露出させる。マスク層の上面における開口部の配置パターンは、四角形S1を最小構成単位とする網目の交点に、開口部が位置するよう配置されたパターンであり、その四角形S1は、平行四辺形であるか、または、ベース基板上に成長するGaN系結晶の〈11-20〉方向の辺を有しない方形である。

請求項（抜粋）：

GaN系結晶が成長可能なベース基板の面にマスク層が設けられ、マスク層はそれ自身の表面からは実質的に結晶成長し得ない材料からなり、マスク層の上面には複数の開口部が設けられ、該開口部内の底にはベース基板が露出しており、マスク層の上面における開口部の配置パターンが、四角形を最小構成単位とする網目の交点に開口部が位置するよう配置されたパターンであって、その網目の最小構成単位の四角形が、平行四辺形であるか、または、ベース基板上に成長するGaN系結晶の〈11-20〉方向の辺を有しない方形であることを特徴とするGaN系結晶成長用基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社