特許
J-GLOBAL ID：200903093544350050
CCD固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267322
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130299
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 光感度を低下させることなくスミアの低減を実現できる、CCD固体撮像装置を提供する。【構成】 フォトダイオード部を構成するn型拡散層13の上に、欠陥によるノイズを低減するためのノイズ低減用p型拡散層14が形成されている。ノイズ低減用p型拡散層14は、中央部に形成された不純物濃度が相対的に低い低濃度領域14aと両側端部に形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度領域14bとからなる。この構造により、受光時の電位はノイズ低減用p型拡散層14の中央部で低く両側端部で高い分布をもち、光電効果により発生した信号電荷がスミア成分となる確率が押さえられる。このため、ノイズ低減用p型拡散層14の不純物濃度を上げることなく、スミアを低減することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、n型不純物拡散層を有し光電変換により信号電荷を生成するフォトダイオード部と信号電荷を転送する電荷転送部とが交互に形成され、前記フォトダイオード部のn型不純物拡散層の上にノイズを低減するためのノイズ低減用p型不純物拡散層が形成されたCCD固体撮像装置において、前記ノイズ低減用p型不純物拡散層は、前記電荷転送部側の両側部にそれぞれ形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度領域と、前記高濃度領域同士の間の中央部に形成された不純物濃度が相対的に低い低濃度領域とからなることを特徴とするCCD固体撮像装置。
IPC (2件)：
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