特許
J-GLOBAL ID：200903093551654226
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106454
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のダイボンディング剤として使用した場合に、銅リードフレームを用いてもチップクラックやチップ反り及びハンダリフロー時のペースト層の剥離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低減させることのできる樹脂ペースト組成物と、その樹脂ペースト組成物を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 (A)下記一般式(1)で表されるビスマレイミド、(B)下記一般式(2)で表される反応生成物、(C)ラジカル開始剤及び(D)フィラーからなる樹脂ペースト組成物、並びに、この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止材を用いて封止してなる半導体装置。【化1】【化2】(式中、R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基を表し、R2、R3、R4及びR5は各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、R6及びR7は各々独立に炭素数1〜4のアルキレン基であり、mは1〜6の整数であり、nは0〜100の整数である。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表されるビスマレイミド化合物、【化1】(式中、R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基を表し、R2、R3、R4及びR5は各々独立に水素原子又はアルキル基を表す。)(B)下記一般式(2)で表される反応生成物、【化2】(式中、R1は炭素数5〜300の2価の炭化水素基を表し、R2、R3、R4及びR5は各々独立に水素原子又はアルキル基を表し、R6及びR7は各々独立に炭素数1〜4のアルキレン基であり、mは1〜6の整数であり、nは0〜100の整数である。)(C)ラジカル開始剤及び(D)フィラーからなる樹脂ペースト組成物。
IPC (6件)：
C08F290/06
, C08L 79/04
, C09J179/04
, C08G 73/12
, H01L 21/52
, C08F222:40
C08F290/06
, C08L 79/04
, C09J179/04 B
, C08G 73/12
, H01L 21/52 E
