特許

J-GLOBAL ID：200903093554978022

結晶または結晶類似の構造体中の欠陥輪郭を調節する方法

発明者： ヴィルフリート レルヒ ,  ユルゲン ニース
出願人/特許権者： マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-584475
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533881
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：

【要約】本発明は、処理室内で熱処理する間に、有利には半導体の基板の結晶または結晶類似構造体中に欠陥輪郭を形成する方法に関する。本発明の方法により、欠陥の濃度および/または密度分布を、それぞれ少なくとも1種の反応成分を有する、組成が異なる少なくとも2種の処理用ガスに依存して調節し、その際少なくとも2種の処理用ガスを、本質的に互いに分離して、それぞれ少なくとも2個の異なる基板の表面に作用する。

請求項（抜粋）：

処理室内で熱処理する間に、基板、有利には半導体の結晶または結晶類似構造体中に欠陥輪郭を形成する方法において、欠陥の濃度および/または密度分布を、それぞれ少なくとも1種の反応成分を有する、組成が異なる少なくとも2種の処理用ガスに依存して調節し、その際少なくとも2種の処理用ガスを、本質的に互いに分離して、それぞれ少なくとも2個の異なる基板の表面に作用することを特徴とする、結晶または結晶類似構造体中に欠陥輪郭を形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/66 N ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/26 F

Fターム (3件)：

4M106AA01 ,  4M106CB03 ,  4M106CB19