特許
J-GLOBAL ID：200903093560073384
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326073
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206064
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】電解めっきを用いて2層以上の配線を形成する半導体装置において、各配線層表面が極めて平坦で、又めっき成長部に空孔などが発生せず、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【構成】配線及びシリコン基板1上に酸化膜5を介して配線座10を形成する。次でPSI膜5を形成したのち開口部を形成し、次でPSI膜5の表面及び開口部の側面にTi膜16,16Aを形成する。次でTi膜の表面を絶縁体としたのち、金めっきを行い配線座10上に下層配線を形成する。次で下層配線上のスルーホール部に開口を有するフォトレジスト膜を形成したのち、金めっきを行い下層配線に接続する接続電極を形成する。次で、Ti膜16を除去したのち、再びPSI膜を形成し、下層配線の形成と同様にして接続電極に接続する上層配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成したのち順次開口部を有する絶縁膜をマスクとし電解めっき法により下層配線と接続電極と上層配線とを形成する半導体装置の製造方法において、前記下層配線と接続電極と上層配線は開口部の下面のみからの金属めっき膜の成長により形成すると共に、前記配線と前記接続電極を形成するための電解めっき工程を分けて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
