特許
J-GLOBAL ID：200903093563554715
結晶成長方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125153
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314652
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：
【要約】【目的】 導入ガスをプラズマ分解し、発生したラジカルを利用して、エピタキシャル成長させる方法(装置)の改良である。プラズマ分解によりラジカルと同時に発生したイオン及び電子を結晶成長から排除して、高品質なP型II-VI族化合物半導体結晶(例えば、ZnSe結晶)が得られるようにする。【構成】 導入ガス(窒素ガス)をラジカルガン25によりプラズマ分解し、これを原料分子線が供給された基板Kの表面へ照射して成長を行なう。ラジカルの照射経路内に電場を発生させる装置(基板Kの基板支持台26にバイアス電源37でバイアス電圧をかけた構成)を設けて、プラズマ分解により生じたイオン(高い励起状態にあり、反応性が強く、電気的に中性でない原子・分子)及び電子を、チャンバ21内の基板Kの表面外へ誘導排除する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体薄膜の分子線エピタキシャル成長方法であって、導入ガスをプラズマ分解してラジカルを発生させて、このラジカルを原料分子線が供給されたチャンバ内の基板表面へ照射すると共に、前記プラズマ分解により生じたイオンを、前記チャンバ内の基板表面外に排除して、結晶成長を行なうようにしたことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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