特許
J-GLOBAL ID：200903093565856522
太陽電池用基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261090
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【目的】 下地絶縁膜及び表層絶縁膜をゾル-ゲル法で形成し、太陽電池用絶縁基板として要求される絶縁特性,電極材との密着性を改善する。【構成】 この太陽電池用基板は、基材としての金属板1の表面に、ゾル-ゲル法による厚み0.5〜10μmの下地絶縁膜2及び表層絶縁膜3が形成されている。絶縁膜2,3には、可視光反射率70%以上の絶縁性粉末4を分散させても良い。金属板基板として、入射光の散乱多重反射を促進させる微細な凹凸やうねりのある表面をもつ金属板(d)を使用すると、光電変換効率が向上する。下地絶縁膜2としては、絶縁特性の高いシリカ系膜が使用される。表層絶縁膜3は、その上に形成される金属質電極層に対する密着性に優れた膜に作り込まれる。
請求項（抜粋）：
金属板を基板とし、ゾル-ゲル法で形成された絶縁抵抗の高い下地絶縁膜と、組成の異なる浴を用いたゾル-ゲル法で形成され電極材に対する密着性に優れた表層絶縁膜が形成されていることを特徴とする太陽電池用絶縁基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, C03C 17/34 A
