特許

J-GLOBAL ID：200903093575512430

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 一安 ,  栗山 健治
出願人/特許権者： 日本エイブルスティック株式会社
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  細川 伸哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284655
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056968
出願日： 2003年08月01日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】 ダイアタッチフィルムを用いた半導体装置の製造において、ダイシング工程中のチップの飛びと、ピックアップ工程でのダイシングテープとダイアタッチフィルムとの間の容易な剥離の両方を同時に可能にする新規な方法を提供する。【解決手段】 本発明は、表面に粘着層を持つダイシングテープの粘着層面にダイアタッチフィルムを貼付し、次にダイアタッチフィルム面に半導体ウエハを加熱下で接着し、半導体ウエハをダイアタッチフィルム層と共に個々の半導体装置の単位で切断し、切断された個々の半導体装置をダイアタッチフィルム層と共に加熱下でダイシングテープから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

表面に粘着剤層を持つダイシングテープの粘着剤層面にダイアタッチフィルムを貼付し、次にダイアタッチフィルム面に半導体ウエハを加熱下で接着し、半導体ウエハをダイアタッチフィルム層と共に個々の半導体装置の単位で切断し、切断された個々の半導体装置をダイアタッチフィルム層と共に加熱下でダイシングテープから剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 Y