特許
J-GLOBAL ID：200903093575547684
LB膜への配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135631
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 LB膜デバイスの構築のため、LB膜上に常温あるいは常温常圧で膜の機能を低下させること無く金属配線パターンを形成する。【構成】 有機薄膜としてのLB膜表面上にアミノ基またはカルボキシル基を含む分子を付与する。膜表面のアミノ基またはカルボキシル基と結合させたビオチン分子と金コロイドを付与したアビジン分子(金コロイドアビジン分子)とをアビジンービオチンの特異的結合を利用して結合させ、金コロイド粒子による配線パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
LB膜に配線を形成するに当たり、LB膜表面にビオチンの標識となる官能基を付与し、前記LB膜表面に前記官能基を介し結合するビオチンパターンを形成し、該ビオチンパターンに金属コロイドを有するアビジンをアビジンとビオチンとの特異的結合を用いて結合させ配線を得ることを特徴とするLB膜への配線形成方法。
IPC (4件)：
H01B 13/00 503
, B05D 1/20
, H01B 1/20
, H01L 21/3205
