特許
J-GLOBAL ID：200903093576742383
固体電解質の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-326421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162484
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 MOCVDを1000°C以上で行うことによって緻密な固体電解質膜を成膜する。【解決手段】 この発明の固体電解質の成膜方法は、基材63上に固体電解質材料を含有する有機金属イットリウムトリアセチルアセトナートとジルコニウムテトラキスアセチルアセトナートとを有機金属気相反応法(MOCVD)によって蒸着して固体電解質68を成膜する固体電解質の成膜方法において、有機金属の蒸着温度を1000°C以上に調整することを特徴とするものである。このMOCVDを電気化学蒸着法(EVD-CVD)と同様に1000°C以上の高温度で実行することによって基材に蒸着する固体電解質の膜組織を緻密にし、かつこの蒸着過程で塩化物排気を発生することもなく安全に固体電解質の成膜が行える。
請求項（抜粋）：
基材上に固体電解質材料を含有する有機金属を有機金属気相反応法によって蒸着して固体電解質を成膜する固体電解質の成膜方法において、前記有機金属の蒸着温度を1000°C以上に調整することを特徴とする固体電解質の成膜方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01M 8/02 P
, H01M 8/02 E
, C23C 16/18
