特許
J-GLOBAL ID:200903093589405157
誘電体素子とその製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 青木 博昭
, 沖田 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-309590
公開番号(公開出願番号):特開2007-194592
出願日: 2006年11月15日
公開日(公表日): 2007年08月02日
要約:
【課題】導電体と誘電体との密着性に優れた誘電体素子を提供する。【解決手段】誘電体素子10は、第1の導電体12と、その上に設けられた誘電体14を有している。第1の導電体と誘電体との間には中間領域16が形成されている。中間領域では、第1の導電体および誘電体のいずれとも異なる添加物が誘電体と混在している。この添加物は、Si、Al、P、Mg、Mn、Y、V、Mo、Co、Nb、FeおよびCrのうち一つ以上の元素を含んでいる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の導電体と、
前記第1の導電体上に設けられた誘電体と、
前記第1の導電体と前記誘電体との間に位置し、前記第1の導電体および前記誘電体のいずれとも異なる添加物と前記誘電体とが混在する中間領域と、
を備え、
前記添加物は、Si、Al、P、Mg、Mn、Y、V、Mo、Co、Nb、FeおよびCrのうち一つ以上の元素を含んでいる、誘電体素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (9件):
5E082AB01
, 5E082BB07
, 5E082BC01
, 5E082BC32
, 5E082BC39
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE38
, 5E082FF05
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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積層セラミック電子部品及びその製造方法
公報種別:再公表公報
出願番号:JP2002010925
出願人:松下電器産業株式会社
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特公平7-056850
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積層導体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-235211
出願人:株式会社東芝
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