特許
J-GLOBAL ID：200903093590676873
化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300101
公開番号（公開出願番号）：特開平11-130579
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月18日
要約：
【要約】【課題】VGF法によって化合物半導体単結晶を製造するに当たり、種付け部からの多結晶成長を抑制するため、種付け部の固液界面を上方向に凸面にし、安定した種付けを可能にする。【解決手段】成長容器4の下部に形成した上方向に増径する増径部b内に、該増径部と同一形状の種結晶1を配置し、その種付け部を、増径部bの周囲に配置した低熱伝導率部材6の存在する領域中に定め、種付け部から成長する際に発生する潜熱が径方向外側へ流れ出すのを低熱伝導率部材6により抑制すると共に、成長容器4の下部に高熱伝導率部材の容器支持体7を設置して成長部で発生した潜熱を種結晶1の下部から効率良く放出させる。
請求項（抜粋）：
成長容器内における下部に種結晶、及びその上部に化合物半導体単結晶の原料融液を配置し、前記種結晶から上方に向かって結晶を成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、成長容器の下部に形成された上方向に増径する増径部内に該増径部と同一形状の種結晶を配置し、その成長容器の増径部の周囲に低熱伝導率部材を設置すると共に、該低熱伝導率部材より下方の成長容器部分を囲繞するように成長容器の下部に高熱伝導率部材を設置し、種付けを前記低熱伝導率部材の存在する増径部の領域中で行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/40
, H01L 21/208
C30B 11/00 Z
, C30B 29/40 Z
, H01L 21/208 T
