半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142044
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335634
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】配線埋込み溝の形成時にコンタクトホ-ルの形状変化と導電体のエッチングを防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】本発明の半導体装置の製造方法は、導電体1上に層間絶縁膜2を堆積し、層間膜2上に形成されたコンタクトホ-ルのパタ-ンを有するレジスト層5をマスクとして層間膜2を開口して導電体1を露出し、レジスト層5を除去し、コンタクトホ-ル3と層間膜2上に、層間膜2のエッチングに対して選択比1/2以下を有する有機化合物8を塗布し、有機化合物8をホ-ル3内のみに残存させ層間膜2の表面から除去し、有機化合物8が残存したホ-ル3を含む層間膜2上に形成された埋め込み配線溝のパタ-ンを有するレジスト層6をマスクとして層間膜2を所定の深さまでエッチングし、ホ-ル3内に残存する有機化合物8とレジスト層6を同時に除去し、ホ-ル3と配線溝内に導電体材料を堆積する。

請求項（抜粋）：

第1の導電体上に層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜上にコンタクトホ-ルのパタ-ンを有する第1のレジスト層を形成する工程と、この第1のレジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を開口し前記第1の導電体を露出させてコンタクトホ-ルを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去する工程と、前記コンタクトホ-ルと前記層間絶縁膜上に有機化合物を塗布して前記コンタクトホ-ルを有機化合物で満たす工程と、前記有機化合物を前記コンタクトホ-ル内のみに残存させて前記層間絶縁膜の表面から除去する工程と、前記有機化合物が残存した前記コンタクトホ-ルを含む前記層間絶縁膜上に埋め込み配線溝のパタ-ンを有する第2のレジスト層を形成する工程と、この形成された第2のレジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を前記層間絶縁膜の所定の深さまでエッチングする工程と、前記コンタクトホ-ル内に残存する有機化合物と前記第2のレジスト層を同時に除去する工程と、有機化合物の除去されたコンタクトホ-ルとエッチングされた配線溝内に導電体材料を堆積する工程とを具備し、前記有機化合物は前記第2のレジスト層をマスクとした層間絶縁膜のエッチングに対してエッチング選択比が1/2以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L , H01L 21/283 P , H01L 21/302 J

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