特許

J-GLOBAL ID：200903093599090952

薄膜コンデンサ

発明者： 岸野 哲也
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-298646
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109842
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高周波でのQ値が大きいと同時に、リーク電流が小さく、信頼性の高い薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 本発明の薄膜コンデンサは、下部電極層12が、支持基板11表面内に埋設されており、その下部電極層12の表面と支持基板11の表面が実質的に同一平面となっており、さらにその下部電極12の一部を前記誘電体層13が、他の一部を引出電極層15が被覆している。

請求項（抜粋）：

支持基板上に下部電極層、誘電体層、上部電極層を順次被着してなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極層は、その表面が前記支持基板の表面と同一平面となるように埋設されているとともに、その一部を前記誘電体層が、他の一部を引出電極層が被覆していることを特徴とする薄膜コンデンサ。

Fターム (9件)：

5E082AB03 ,  5E082BB01 ,  5E082BC30 ,  5E082EE12 ,  5E082EE13 ,  5E082EE23 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082KK01