特許
J-GLOBAL ID：200903093605074891
半導体レーザ、半導体レーザ装置及び光集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034700
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232509
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 1回の成長プロセスにより、活性層と活性層よりバンドギャップが大きい光ガイド層とを形成する。【構成】 導波路方向の一部分にリッジ2を形成した基板1を用い、この基板1上に半導体層を成長させる。基板1のリッジ部3と非リッジ部4とにおいて、成長させた半導体層の組成及び/または膜厚が異なるので、バンドギャップが小さい部分を活性層とし、バンドギャップが大きい部分を光ガイド層とする。
請求項（抜粋）：
量子井戸層からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップが大きい量子井戸層からなる共振器端面の光ガイド層とを有する窓構造型の半導体レーザにおいて、前記活性層及び光ガイド層が、導波路方向の一部に導波路の幅と同じかそれより広い導波路方向のリッジを形成した基板上に設けられていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
前のページに戻る
