特許
J-GLOBAL ID：200903093605354282
広帯域幅分布型ブラグ反射器を備えた多重波長の表面放射レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065277
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 異なった波長の光を放射するための多重活性層を有する多重波長の表面放射レーザーのモノリシック構造体を提供する。【解決手段】 多重波長の表面放射レーザーは、多重波長で光を反射する第1及び第2の広帯域幅分布型ブラグ反射器14,32を有する。表面放射レーザー構造体10は、各々のキャビティが異なった波長で光をそれぞれ放射するための一つ以上の活性層を含む少なくとも二つのキャビティ42,44を含む。第1の好適な実施態様においては、第1のキャビティ42は第1の波長の光を放射するための第1の活性層18のみを含み、第2のキャビティ44は第2波長の光を放射するための第2の活性層26のみを含む。第2の層26は、エピタキシャル成長が完了する前に、エッチングすることにより第1のキャビティ42において除かれる。
請求項（抜粋）：
第1の波長の光を放射するための第1の活性層を備えた第1のレーザーキャビティと第2の波長の光を放射するための第2の活性層を備えた第2のレーザーキャビティとを有し、前記第2の波長が前記第1の波長よりも長いモノリシック半導体構造体と、前記半導体構造体内の第1及び第2の広帯域幅分布型ブラグ反射器であって、前記第1及び第2の波長の光を反射する第1及び第2の広帯域幅分布型ブラグ反射器と、前記半導体構造体において前記第1及び第2のレーザーキャビティに電流を通すための電極であって、前記第2の広帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第1の活性層から前記第1の波長で前記第1のレーザーキャビティから光の放射を生じさせる第1の電極と、前記第2の広帯域幅分布型ブラグ反射器を通して前記第2の活性層から前記第2の波長で前記第2のレーザーキャビティから光の放射を生じさせる第1の電極とを含む二重波長表面放射レーザー。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01S 3/025
, H01S 3/07
H01S 3/18
, H01S 3/07
, H01S 3/02 A
