特許
J-GLOBAL ID：200903093606281793
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小川 勝男
, 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236117
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094477
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 多層レジストを用いたリソグラフィ工程及びLSIプロセスのエッチング工程において、レジストのエッチング耐性を向上させ、高解像度を実現することを目的とする。【構成】 本発明は、露光・現像後のシリコン含有材料からなるレジストパターンに電離放射線を照射し、レジスト中のシリコン原子の結合を切断することにより、酸素ガスないしはそのイオン、ラジカル、プラズマとの反応性を高め、酸化を促進し、引き続き行うドライエッチングに対する耐性を向上させることを特徴とする。【効果】 エッチングおよびプラズマ現像の工程で用いられるドライエッチングにおいて、レジストのドライエッチング耐性が向上するため、従来のエッチング方法に比べ、解像度およびアスペクト比の高い微細なパターンが得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン含有のレジスト膜上に所望のパターンを形成したのち、該レジストパターンをマスクに、下層レジストもしくは基板を酸素反応性イオンエッチングにより加工するドライエッチング方法において、酸素反応性イオンエッチングに先立ち、電離放射線を部分的にあるいは全面に照射し、その被照射部において、レジスト分子を構成する原子間の結合を切断することにより、引き続き行う酸素反応性イオンエッチングにおいて、レジストパターン中のシリコンの酸化を促進し、レジストパターンのドライエッチングに対する耐性を向上させることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/027
H01L 21/302 H
, H01L 21/30 570
