半導体装置及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246882
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332547
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板と金属シリケイト層との間の界面特性に優れた半導体装置を得る。【解決手段】シリコン基板51に能動素子が形成されてなる半導体装置であって、該半導体装置は、シリコン基板51上に形成された金属シリケイト層53と、金属シリケイト層53上に形成された電極層54とを備え、金属シリケイト層53は、その構成金属の濃度が電極層54と金属シリケイト層53との界面からシリコン基板51と金属シリケイト層53との界面に向かってしだいに減少するように構成されている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に能動素子が形成されてなる半導体装置において、前記半導体装置は、前記シリコン基板上に形成された金属シリケイト層と、前記金属シリケイト層上に形成された電極層とを備え、前記金属シリケイト層は、その構成金属の濃度が前記電極層と前記金属シリケイト層との界面から前記シリコン基板と前記金属シリケイト層との界面に向かってしだいに減少するように構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , C23C 14/08 , C23C 14/28 , C23C 16/42 , H01L 21/203 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (9件)：

H01L 21/316 B , H01L 21/316 P , C23C 14/08 K , C23C 14/28 , C23C 16/42 , H01L 21/203 S , H01L 21/203 Z , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 G

Fターム (51件)：

4K029AA06 , 4K029BA52 , 4K029BB02 , 4K029BC05 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 4K029FA01 , 4K029GA01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030LA02 , 5F040DA19 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED03 , 5F040EK05 , 5F040FA07 , 5F040FC22 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD09 , 5F058BD18 , 5F058BF02 , 5F058BF17 , 5F058BF22 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF40 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F103AA01 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103LL08 , 5F103PP03 , 5F103RR05

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