半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-277036
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132393
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】バイポーラトランジスタの素子分離にトレンチ分離を用いCMOS部の素子分離にLOCOS分離を用いた場合にトレンチ分離部に応力が発生することを有効に防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】本発明は上記目的を達成するため、トレンチ分離用溝19を形成する前にフィールド酸化膜16を形成する。

請求項（抜粋）：

バイポーラトランジスタと、第1および第2の電界効果素子からなる相補型電界効果素子とが半導体基板上に隣接して形成された半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の主表面上の少なくとも前記第1の電界効果素子と前記第2の電界効果素子との境界領域にLOCOS法を用いて前記半導体基板の主表面上に沿って延びるように素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜を形成した後、前記バイポーラトランジスタが形成される領域を取り囲むように前記半導体基板の主表面に前記半導体基板の深さ方向に延びる溝状の素子分離領域を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 27/06

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-134824
特開平3-209761
特開平2-231724

全件表示

前のページに戻る