半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114854
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315285
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】微細なコンタクト孔においても、コンタクト抵抗を十分に低減した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上の層間絶縁膜8にコンタクト孔16を形成し、これにドーパントを含有した反応ガスを用いた化学気相成長法を行い、前記コンタクト孔16内及び層間絶縁膜8上に、当該ドーパントを含有した高融点金属層14を形成した後、熱処理を行ない、高融点金属シリサイド層9を形成し、前記半導体基板1の高融点金属シリサイド層9と接触する部分に、高濃度キャリア濃度領域を形成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜にコンタクト孔を開口し、当該コンタクト孔内に高融点金属シリサイド層を形成して、前記半導体基板と高融点金属シリサイド層とを接触させた半導体装置において、前記半導体基板と高融点金属シリサイド層との界面に、膜状の高濃度キャリア層を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 B , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-181125
特開昭61-225838
特開昭59-177926

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