特許
J-GLOBAL ID：200903093615645030
レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査方法及び検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-019027
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211840
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 レチクルが規格どおりに作製されているか否かの検査を容易且つ確実に行なえるようにする。【解決手段】 基板上のレジスト膜に、被検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して被検査用レチクルのパターンを転写した後、被検査用レチクルのパターンが転写されたレジスト膜を現像することにより、レジスト膜よりなる複数のパターンを形成する。次に、レジスト膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥を検出する。次に、パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の数が所定数以内であるレジスト膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応する被検査用レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特定する。次に、被検査用レチクルにおけるパターン欠陥を発生させ易い部位に対して良否の検査を行なう。
請求項（抜粋）：
基板上のレジスト膜に、被検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記被検査用レチクルのパターンを転写した後、前記被検査用レチクルのパターンが転写された前記レジスト膜を現像することにより、前記レジスト膜よりなる複数のパターンを形成するパターン形成工程と、前記レジスト膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥を検出する欠陥検出工程と、パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の数が所定数以内である前記レジスト膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特定する部位特定工程と、前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査工程とを備えていることを特徴とするレチクルの検査方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/66
G03F 1/08 S
, H01L 21/66 J
, H01L 21/30 502 V
