特許

J-GLOBAL ID：200903093616161214

半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置

発明者： 福田 豊 ,  則武 千景 ,  平野 尚彦 ,  三浦 昭二
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359942
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193369
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】半導体基板の反りの発生が抑制され、接触抵抗が低く密着強度が高い裏面電極を有し、オン抵抗が低減された半導体装置の製造方法、およびそれにより製造される半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1の一方の表面に主たるデバイス層14が形成され、他方の表面に裏面電極22が形成される半導体装置100の製造方法において、凹凸表面の粗さを、凹凸表面を展開して平面にした面積Seと、凹凸表面を平面に投影した面積Spとの面積比Rs=Se/Spで定義したとき、前記半導体基板1における他方の表面を、砥粒により機械的に研削して所定の厚さに加工する研削工程と、前記研削された表面をウェットエッチングして、エッチング後の表面の粗さをRs≧1.04に仕上げるエッチング工程と、前記ウェットエッチングによる仕上げ面に、裏面電極26を形成する電極形成工程とを備える。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の表面に主たるデバイス層が形成され、他方の表面に裏面電極が形成される半導体装置の製造方法において、 凹凸表面の粗さを、 凹凸表面を展開して平面にした面積Seと、凹凸表面を平面に投影した面積Spとの面積比Rs=Se/Spで定義したとき、 前記半導体基板における他方の表面を、砥粒により機械的に研削して所定の厚さに加工する研削工程と、 前記研削された表面をウェットエッチングして、エッチング後の表面の粗さをRs≧1.04に仕上げるエッチング工程と、 前記ウェットエッチングによる仕上げ面に、前記裏面電極を形成する電極形成工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/44 L ,  H01L21/28 A ,  H01L21/304 631 ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/306 B

Fターム (20件)：

4M104AA01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD13 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04