特許
J-GLOBAL ID：200903093617712338
プラズマCVD装置および記録媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中川 國男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335854
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：
【要約】【課題】 加工対象のワークに対する薄膜の形成に有効なプラズマCVD装置および良好な特性の記録媒体を提供する。【解決手段】 真空状態の成膜室(5)内でカソード(8)とアノード(9)との間の放電により、成膜原料ガス(16)をプラズマ状態とし、プラズマ状態のイオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)のマイナス電位により加工対象のワーク(13)の方向に加速し、イオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)の表面に付着させ、加工対象のワーク(13)の表面に薄膜を化学的に形成するプラズマCVD装置(1)において、成膜室(5)内に、カソード(8)、アノード(9)と加工対象のワーク(13)との間で加工対象のワーク(13)の加工面に対向させて膜厚補正板(14)を設け、この膜厚補正板(14)をフロート電位に設定する。
請求項（抜粋）：
真空状態の成膜室(5)内でカソード(8)とアノード(9)との間の放電により、成膜原料ガス(16)をプラズマ状態とし、プラズマ状態のイオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)のマイナス電位により加工対象のワーク(13)の方向に加速し、イオン化物質の分子を加工対象のワーク(13)の表面に付着させ、加工対象のワーク(13)の表面に薄膜を化学的に形成するプラズマCVD装置(1)において、成膜室(5)内に、カソード(8)、アノード(9)と加工対象のワーク(13)との間で加工対象のワーク(13)の加工面に対向させて膜厚補正板(14)を設け、この膜厚補正板(14)をフロート電位に設定したことを特徴とするプラズマCVD装置(1)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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