特許
J-GLOBAL ID：200903093623084152
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006667
出願日： 1991年06月27日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】 半導体記憶装置において、十分なビット線プリチャージを行うことを目的とする。【構成】 プリチャージ期間にVBLを検知する検知回路11を有し、ビット線のへたりを検知した時に、消費電力は小さいがプリチャージ能力の小さい第1のVBL発生回路9から、消費電力は大きいがプリチャージ能力の大きい第2のVBL発生回路10に切り換える。
請求項（抜粋）：
プリチャージ期間にビット線プリチャージレベル(以下、VBLという)を検知するVBL検知回路と、ビット線プリチャージ能力は小さいが消費電力の小さい第1のVBL発生回路と、消費電力は大きいがビット線プリチャージ能力の大きい第2のVBL発生回路と、VBLの検知結果に応じて、通常は第1のVBL発生回路を使用し、VBLがへたっている場合に、第1のVBL発生回路から第2のVBL発生回路に切り換えるVBL切換回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 353 F
, G11C 11/34 M
