特許

J-GLOBAL ID：200903093624071267

ガス遮断器

発明者： 新海 健 ,  新藤 尊彦 ,  新井 健嗣 ,  鈴木 克巳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木内 光春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288859
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110290
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 遮断時間幅と遮断電流値に依存することなく、小さい駆動エネルギーでも安定した高い遮断性能を得ることが可能な優れたガス遮断器を提供する。【解決手段】 固定アーク接触子11内部の中心軸上に、磁化方向が中心軸方向と一致するようにして高保磁力磁性体40が固定されている。この高保磁力磁性体40はアーク空間S2に磁束密度場Bを生成するようになっている。磁束密度場Bは、電流零点の前後100μs以内として定義される電流零点近傍において少なくとも30mTであって、かつ磁束密度場Bにおいてアーク空間S2を流れる電流の接線方向成分をBtan、法線方向成分をBnorと定義した場合に、Btan<Bnorであるように構成されている。

請求項（抜粋）：

消弧性ガスが充填された密閉容器内には第1接触子部及び第2接触子部が対向配置され、前記第1接触子部及び第2接触子部にはそれぞれ、第1アーク接触子及び第2アーク接触子が設けられ、前記第1アーク接触子及び第2アーク接触子は、通常運転時は接触導通状態にあり、開極動作時は相対移動しつつ開離すると共に、両接触子間の空間であるアーク空間にアークを発生するように構成され、前記アークを消弧せしめるガス流発生手段が設けられ、前記ガス流発生手段は、圧縮空間と、この圧縮空間の圧力を機械的圧縮または熱もしくはその両方により上昇させる圧力上昇手段と、前記圧縮空間と前記アーク空間とを結ぶ上流側ガス流路と、前記アーク空間と前記密閉容器内の充填圧と同圧力の空間である下流空間とを結ぶ下流側ガス流路とから構成されたガス遮断器において、前記アーク空間に磁束密度場を生成する磁界発生手段が設けられ、前記磁束密度場Bは、電流零点の前後100μs以内として定義される電流零点近傍において少なくとも30mTであって、かつ前記磁束密度場Bにおいて前記アーク空間を流れる電流の接線方向成分をBtan、法線方向成分をBnorと定義した場合に、Btan<Bnorであるように構成されたことを特徴とするガス遮断器。

IPC (2件)：

H01H 33/91 ,  H01H 33/70

FI (2件)：

H01H 33/91 ,  H01H 33/70 D

Fターム (6件)：

5G001AA08 ,  5G001BB01 ,  5G001CC05 ,  5G001DD03 ,  5G001DD07 ,  5G001GG04