特許

J-GLOBAL ID：200903093626696337

半導体装置及びその実装方法

発明者： 加柴 良裕 ,  出田 吾朗
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-256219
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112463
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 高密度フリップチップ実装が容易な半導体装置及びその実装方法を提供する。【構成】 ICチップ2と基板1間に第1のバンプ5と、これより融点が高くサイズの小さい第二のバンプ6を配設しする。まず、第1のバンプ5溶融形成時にこれによりセルフアライメントを行い、両者を高精度に位置ぎめ接続する。次に第二のバンプ6により高密度に接続する。

請求項（抜粋）：

複数のバンプを介してICチップと基板との電気的信号のやりとりを行う半導体装置において、上記バンプをセルフアライメントを行う第一のバンプ、及びこの第一のバンプより融点が高くサイズの小さい第二のバンプで構成するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 27/15

FI (2件)：

H01L 27/14 Z ,  H01L 21/92 C