特許

J-GLOBAL ID：200903093627174385

シリコン装置にきわめて浅い接合を形成する方法

発明者： ダグラス ピー.ベレット
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031920
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312974
出願日： 1998年01月05日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 通常の処理方法を使用した、好ましい性能特性を有する極めて浅い接合(25)を形成する。【解決手段】 本発明は、不純物ドーパント(38)を実質的に純粋なゲルマニウムからなる極めて浅い領域(34)に限定するためにゲルマニウムとシリコンとの間でのドーパントの差拡散係数を用い、基体上に所望の厚さのゲルマニウムの膜層を形成するステップ(20)と、このゲルマニウム膜層にドーパント材料を導入するステップ(22)と、このドーパント材料をゲルマニウム膜層に拡散するステップ(24)とからなり、よく制御された厚さを有するGeの薄層(34)を既知の信頼性が高いステップを用いて形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

所望のドーパント形式のシリコン基体に浅い接合を形成する方法において、a.上記基体上に所望の厚さを有するゲルマニウムの膜層を形成するステップと、b.上記ゲルマニウム膜層にドーパント材料を導入するステップと、c.上記ドーパント材料を上記ゲルマニウム膜層に拡散するステップと、を具備したことを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P