特許

J-GLOBAL ID：200903093628040790

強誘電体メモリおよびその形成方法

発明者： 小岩 一郎 ,  金原 隆雄 ,  加藤 博代 ,  岡田 幸久
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297945
出願日： 1998年04月13日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 電極材料として好ましい白金族元素を含有し、還元雰囲気中での熱処理によるPZT膜の特性劣化を抑制できる上部電極を具えていること【解決手段】 下地10上に、下部電極17、強誘電体膜19および上部電極21をこの順に具えていて、上部電極は、白金族元素とチタン酸ジルコン酸鉛膜を構成する元素のうちの一種若しくは二種以上の元素とを以て構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板を含む下地上に下部電極、チタン酸ジルコン酸鉛膜および上部電極を順次に具えた強誘電体メモリにおいて、前記上部電極は、白金族元素と、前記チタン酸ジルコン酸鉛膜を構成する元素のうちの一種若しくは二種以上の元素とを以て構成されていることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 371