半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-368456
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200486
出願日： 2002年12月19日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】正常に動作するサージ保護回路を備える半導体装置を提供する。【解決手段】本発明のサージ保護回路を備える半導体装置は、信号入力端子34に電気的に接続され、かつnpnトランジスタ32とnpnトランジスタ33とを有するサージ保護回路51を備えた半導体装置であって、npnトランジスタ32のベースの一番狭い領域がnpnトランジスタ33のベースの一番狭い領域とは異なる幅を有する構成を有することにより、npnトランジスタ32がnpnトランジスタ33よりも降伏しやすくなるように構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

信号入力端子に電気的に接続され、かつ第1のトランジスタと第2のトランジスタとを有するサージ保護回路を備えた半導体装置であって、前記第1のトランジスタのベースの一番狭い領域が前記第2のトランジスタのベースの一番狭い領域とは異なる幅を有する構成により、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジスタよりも降伏しやすくなるように構成された、半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/8222 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8228 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/732

FI (4件)：

H01L27/06 101D , H01L29/72 P , H01L27/04 H , H01L27/08 101C

Fターム (46件)：

5F003BA97 , 5F003BB01 , 5F003BB05 , 5F003BB90 , 5F003BC08 , 5F003BC90 , 5F003BE90 , 5F003BF03 , 5F003BG03 , 5F003BH06 , 5F003BJ01 , 5F003BJ03 , 5F003BJ12 , 5F003BJ20 , 5F003BJ90 , 5F038AR01 , 5F038BH02 , 5F038BH05 , 5F038BH06 , 5F038BH13 , 5F038CA02 , 5F038EZ12 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F082AA08 , 5F082AA17 , 5F082AA33 , 5F082BA02 , 5F082BA04 , 5F082BA11 , 5F082BA21 , 5F082BA28 , 5F082BA29 , 5F082BA31 , 5F082BA35 , 5F082BA41 , 5F082BA47 , 5F082BA48 , 5F082BC03 , 5F082BC04 , 5F082BC11 , 5F082BC15 , 5F082DA10 , 5F082FA16 , 5F082GA02 , 5F082GA04

引用特許：

審査官引用 (9件)

静電的放電に対する保護構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-270983 出願人：エッセヂエッセ-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセ・エッレ・エッレ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-330197 出願人：松下電子工業株式会社
サージ防護素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-110741 出願人：三菱マテリアル株式会社

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