特許
J-GLOBAL ID：200903093647503067
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梁瀬 右司
, 振角 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057468
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251847
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 小型で、しかも簡素な構成を有しつつ、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 ノズル20の上流側に溶解ユニット22が配置され、脱イオン水(処理液)に予め炭酸ガスを過飽和に溶解させ、炭酸ガス含有の処理液を処理液配管24を介してノズル20に供給する。そして、ノズル20から処理液の液滴が基板表面に向けて吐出される。また、コントローラCは温調部15を制御して基板Wの表面温度を調整するとともに、処理液および窒素ガスの流速を調整し、これによって液滴中の炭酸ガスが超臨界流体に変化するのに必要な環境を基板Wの表面に作り出している。したがって、基板表面への液滴の衝突により炭酸ガスが超臨界状態に変化し、該超臨界流体による洗浄効果が発揮される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理液の液滴を用いて基板の表面を洗浄する基板処理装置において、
前記基板を保持する基板保持手段と、
前記処理液よりも低い圧力で超臨界流体となる低圧力臨界物質を、前記処理液の液滴に過飽和に溶解させ、該液滴を前記基板保持手段に保持されている基板の表面に向けて吐出する液滴供給手段と、
前記液滴供給手段からの液滴が前記基板表面に衝突した際の前記液滴の内部圧力と、前記基板表面での温度とを調整して前記低圧力臨界物質が超臨界流体に変化するのに必要な環境を前記基板表面に作り出す制御手段とを備え、
前記液滴供給手段からの液滴を前記基板表面に衝突させるとともに、前記基板表面への前記液滴の衝突により前記液滴中の前記低圧力臨界物質を超臨界流体に変化させ、該超臨界流体と前記液滴とで前記基板表面を洗浄することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/304
, B08B7/00
, G11B7/26
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 648G
, B08B7/00
, G11B7/26 521
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB23
, 3B116AB34
, 3B116AB47
, 3B116BB22
, 3B116BB82
, 3B116CD43
, 5D121AA02
, 5D121GG18
, 5D121GG28
