特許
J-GLOBAL ID:200903093648266930

成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高月 亨
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-222101
公開番号(公開出願番号):特開平6-049643
出願日: 1992年07月29日
公開日(公表日): 1994年02月22日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】 ?@被成膜基体1表面を選択的に処理し、該処理により基体表面上の成膜速度を選択的に異ならしめ、これにより所望形状の成膜を行う。?A段差上に膜形成を行う場合、必要に応じ、成膜速度に下地依存性をもたせる膜を形成して、段差により生じている低所部分5において成膜速度を大ならしめる処理を行い、及び/または段差により生じている高所部分21において成膜速度を小ならしめる処理を行って、常圧O3 -TEOS-SiO2 等の膜形成を行い、平坦化等を達成する。【効果】 複合プロセスを要さずに、かつAl配線を有する場合の時でも配線形成前後で手法を変えるといった煩わしさなく、簡明な構成により、平坦化等をも行うことができ、また、所望の成膜を容易に達成できる。
請求項(抜粋):
被成膜基体表面を選択的に処理し、該処理により基体表面上の成膜速度を選択的に異ならしめ、これにより所望形状の成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件):
C23C 16/04 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-290770
  • 特開平1-108723
  • 特開平4-188621
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