特許

J-GLOBAL ID：200903093648484589

化学抵抗性ガスマイクロセンサを有する半導体集積装置およびその製造プロセス

発明者： ウバルド・マストロマッテオ ,  ベネデット・ヴィーニャ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.
代理人 (1件)： 筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019631
公開番号（公開出願番号）：特開平10-300705
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 化学抵抗性ガスマイクロセンサを有する半導体集積装置を製造する。【解決手段】 半導体本体の形成に続き、センサ用の金属結合領域(14b)と、それと同時にしかも同じレベルに金属材料の犠牲領域(14a)を当該半導体本体の上に相互に重ねて形成し、当該犠牲領域(14a)から電気的、物理的に分離されたヒータエレメント(21)を形成し、当該ヒータエレメント(21)から電気的、物理的に分離されたガス感応エレメント(25)を形成する。開口部(16,28)は、犠牲領域(14a)にまで伸びるようヒータエレメント(21)とガス感応エレメント(25)に対して横方向に形成し、製造プロセスの最後に開口部(16,28)を介して犠牲領域(14a)を除去する。

請求項（抜粋）：

化学抵抗性ガスマイクロセンサを有する半導体集積装置の製造プロセスであって、犠牲領域(14a)を、半導体本体(1,2)の上に形成するステップと、ヒータエレメント(21)を、前記犠牲領域(14a)の上に電気的、物理的に分離して生成するステップと、ガス感応エレメント(25)を前記ヒータエレメント(21)の上に電気的、物理的に分離して生成するステップと、前記犠牲領域(14a)まで伸びる開口部(16,28)を、前記ヒータエレメント(21)と前記ガス感応エレメント(25)とに対して横方向に形成するステップと、前記開口部(16,28)を介して前記犠牲領域(14a)を除去するステップとを含み、前記犠牲領域が導電性の物質であることを特徴とする化学抵抗性ガスマイクロセンサを有する半導体集積装置の製造プロセス。

FI (2件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M