特許

J-GLOBAL ID：200903093653501106

磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置

発明者： 宮川 健祐
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294743
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153313
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁性金属でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、この積層された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側に位置する磁性層の少なくとも一方の磁性層については、該磁性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の磁化の向きを固定し、複数の磁性層の内のバイアス層に隣接しない磁性層については、外部磁界により磁化の向きを可動に構成した磁気抵抗効果型ヘッド並びに磁気ディスク装置に関し、バイアス層に起因する性能劣化を回避できる磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置を実現することを目的とする。【構成】 磁性層11,12を非磁性中間層13を介して積層し、一方の磁性層11の両端部近傍の各表面上には、硬磁性膜でなるバイアス層14を形成するようにした磁気抵抗効果素子部を用いて磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置を構成する。

請求項（抜粋）：

軟磁性金属でなる複数の磁性層を非磁性金属でなる非磁性中間層を介して積層すると共に、この積層された複数の磁性層の内の最浮上面側と最深面側に位置する磁性層の少なくとも一方の磁性層については、該磁性層に隣接してバイアス層を設けて該磁性層の磁化の向きを固定し、前記複数の磁性層の内の前記バイアス層に隣接しない磁性層については、外部磁界により磁化の向きを可動に構成した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記バイアス層を前記磁性層の両端部近傍に形成し、且つ、このバイアス層を硬磁性膜で構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-351052   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-125311
  
• 特開平3-125311