特許
J-GLOBAL ID：200903093656579688
半導体単結晶製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117074
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、炉内品の劣化を防止し長期にわたって高品質の単結晶を得ることのできる半導体単結晶引上げ方法をおよび装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明の方法では、チャンバ-内のるつぼと加熱ヒータとの間およびまたはヒータと保温筒との間に下方から不活性ガスを導入し、ヒータの上方を通ってチャンバー外に導出しつつ引上げを行うようにしている。
請求項（抜粋）：
原料を充填するるつぼと、この周囲の円筒状の加熱ヒータと、さらに加熱ヒータを取り囲む保温筒とをチャンバー内に設置し、加熱ヒータにより前記るつぼ内の原料を溶融して原料融液を形成する融液形成工程と前記るつぼ内の原料融液に種結晶を浸漬して単結晶を引上げる引上工程とを備えた半導体単結晶製造方法において、前記引上げ工程が前記チャンバ-内の前記るつぼと前記加熱ヒータとの間およびまたは前記るつぼと前記保温筒の間に下方から、さらに引上げ単結晶に沿って上方から同時に不活性ガスを導入し、保温筒の上方を通ってチャンバー外に導出しつつ引上げを行う工程であることを特徴とする半導体単結晶製造方法。
IPC (2件)：
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