特許
J-GLOBAL ID：200903093658085445
酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282141
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118844
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【構成】 高周波スパッタリングによる酸化膜の成膜時に、基板側の高周波電源が、ターゲット側の高周波電源に対して常に約40 ゚〜120 ゚の範囲内で位相遅れを有するように最適制御する。【効果】 成膜速度が略一定に維持され、異常放電が防止され、膜厚分布を略一定の低い値に抑制することができ、使用するスパッタリング装置やバッチを変更した場合でも、常に安定的に良好な酸化膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
酸化物のスパッタリングにより酸化膜を形成する方法であって、基板側の高周波電源を、その位相がターゲット側の高周波電源の位相に対して常に約40 ゚〜120 ゚の遅れを有するように制御することを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
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