特許

J-GLOBAL ID：200903093661945269

低打ち込みドーズ量を用いて多層基板を製造するための劈開プロセス

発明者： ヘンリー・フランソワ・ジェイ ,  ブライアン・マイケル・エー ,  エン・ウィリアム・ジー
出願人/特許権者： シリコン ジェネシス コーポレイション
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-515663
公開番号（公開出願番号）：特表2003-506883
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月18日
要約：

【要約】例えば絶縁体上シリコン、シリコン上シリコンといった基板(11)を形成する方法である。本方法は、ドナー基板、例えばシリコンウェーハを用意することを含む。本方法はまた、最終的分離面である劈開面を含む劈開層(18)をドナー基板上に形成することを含む。ある特定の実施形態ではこの劈開層は、シリコンゲルマニウムを含む。本方法はまた、劈開層上に装置層(20)(例えばエピタキシャルシリコン)を形成することを含む。本方法は、劈開層に応力を加えるために劈開層内に粒子を導入することを含む。それから劈開層内の粒子は、劈開面の近傍に粒子の高濃度領域を形成するように再分布させられるが、粒子のこの再分布は、劈開面に微小気泡または微小空洞を実質的に形成しない仕方で実施される。本方法はまた、装置層を劈開面で劈開層から劈開するように選択されたエネルギーをドナー基板に与えることを含み、この選択されたエネルギーは、制御された仕方で、劈開層の一部から装置層を除去するための制御された劈開動作を生成するように印加される。

請求項（抜粋）：

ドナー基板を用意するステップと、 劈開面を含み、シリコンゲルマニウムを含む劈開層を前記ドナー基板上に形成するステップと、 前記劈開層上にエピタキシャルシリコンを含む装置層を形成するステップと、 前記劈開面に応力を加えるために、前記劈開層内で前記劈開面に沿って微小気泡または微小空洞を実質的に形成しない仕方で前記劈開層に粒子を導入するステップと、 前記劈開面の近傍の領域に前記粒子のより高濃度の領域を形成するように前記劈開層内で前記粒子の一部を再分布させるステップであって、前記劈開層内で前記劈開面に沿って微小気泡または微小空洞を実質的に形成しない仕方で実施される前記再分布させるステップと、 制御された仕方で前記劈開層の一部から前記装置層を除去する制御された劈開動作を生成するために印加される選択されたエネルギーを、前記装置層を劈開するように前記ドナー基板に与えるステップとをを含む、基板を形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/265 Q