特許
J-GLOBAL ID：200903093662726692
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044619
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254727
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】この発明は、可撓性基板に実装するために生じる小形化の制約を回避して可撓性基板と一体化し得、超小型を実現することを主要な目的とする。【構成】可撓性薄膜(11)と、この薄膜の一方の主面に形成されたN型の半導体薄膜層(12)と、この半導体薄膜層の前記薄膜側の主面に形成されたP型の高濃度領域(13)と、前記半導体薄膜層の前記薄膜側の主面に前記第1高濃度領域と離間して形成されたN型の高濃度領域(14)と、前記可撓性薄膜の他方の主面に形成された、前記第1高濃度領域と接続する第1電極(15)と、前記可撓性薄膜の他方の主面に形成された、前記第2高濃度領域と接続する第2電極(16)とを具備することを特徴とする半導体センサー。
請求項（抜粋）：
可撓性基板と、この基板の一方の主面に形成された第1導電型の半導体薄膜層と、この半導体薄膜層の前記基板側の主面に形成された第2導電型の第1高濃度領域と、前記半導体薄膜層の前記基板側の主面に前記第1高濃度領域と離間して形成された第1導電型の第2高濃度領域と、前記可撓性基板の他方の主面に形成された、前記第1高濃度領域と接続する第1電極と、前記可撓性基板の他方の主面に形成された、前記第2高濃度領域と接続する第2電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 31/10
, H01L 21/306
, H01L 21/60 321
, H01L 23/50
, H01L 29/84
H01L 31/10 A
, H01L 21/306 B
