特許
J-GLOBAL ID:200903093663303507

レーザ貫入深度制御装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 清水 初志 ,  橋本 一憲
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-544611
公開番号(公開出願番号):特表2004-514479
出願日: 2001年11月21日
公開日(公表日): 2004年05月20日
要約:
本発明は、例えば、レーザエネルギーを患者の標的組織へ発射する時に、レーザエネルギーの光貫入深度を制御するためのシステムおよび手段を特徴としている。このシステムおよび手段は、患者の標的領域へ発射されるレーザエネルギーの入射角を制御することによって光貫入深度(OPD)を制御する。本発明の態様は、ユーザが入射角を変化させ、従って入射レーザエネルギーのOPDを選択可能に制御できる光カプラを含む。標的組織の屈折率よりも大きな屈折率を有するように光カプラを製造することによって、選択可能なOPDの範囲が向上する。所望の深度に発射されるレーザエネルギーは、例えば、加熱、切除および/または光化学反応によって、標的組織の変化を引き起こす。
請求項(抜粋):
基体に対して制御された貫入深度にレーザ光線を発射する装置であって、基体が第1の屈折率と吸収係数μaとを有し、ならびに装置が、 光エネルギー源から光エネルギーを受取る光カプラ、該光カプラは、第1の屈折率よりも高い第2の屈折率を有し、基体と接触して基体とのインターフェースを形成するのに適し、 インターフェースでの基体への光エネルギーの屈折角θrが光カプラと光カプラへ入る光エネルギーとの相対位置を調節することによって変化されうる輪郭表面を有し、特定の屈折角を選択することにより、式
IPC (4件):
A61B18/20 ,  A61N5/06 ,  G02B6/42 ,  H01S3/00
FI (4件):
A61B17/36 350 ,  A61N5/06 E ,  G02B6/42 ,  H01S3/00 B
Fターム (53件):
2H037AA02 ,  2H037BA03 ,  2H037BA32 ,  2H037CA13 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA05 ,  2H037DA06 ,  2H037DA11 ,  4C026AA02 ,  4C026AA03 ,  4C026BB02 ,  4C026BB07 ,  4C026BB08 ,  4C026FF03 ,  4C026FF13 ,  4C026FF14 ,  4C026FF16 ,  4C026FF17 ,  4C026FF18 ,  4C026FF22 ,  4C026FF33 ,  4C026FF38 ,  4C026FF39 ,  4C026FF43 ,  4C026FF53 ,  4C082RA01 ,  4C082RA02 ,  4C082RA05 ,  4C082RA07 ,  4C082RA08 ,  4C082RC04 ,  4C082RC07 ,  4C082RC08 ,  4C082RC09 ,  4C082RE03 ,  4C082RE13 ,  4C082RE14 ,  4C082RE16 ,  4C082RE17 ,  4C082RE18 ,  4C082RE22 ,  4C082RE32 ,  4C082RE33 ,  4C082RE35 ,  4C082RE36 ,  4C082RE39 ,  4C082RE43 ,  4C082RE53 ,  4E068CB08 ,  4E068CE08 ,  5F072YY01 ,  5F072YY06

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